β-氧化鎵（β-Ga2O3）材料和器件技術(shù)取得了快速發(fā)展，其禁帶寬度EG=4.9eV，遠超碳化硅(約3.4eV)、氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)，其導電性能和發(fā)光特性良好，具有很強的電子學、光學和熱學性能。它具有高折射率、可調(diào)諧的拉曼散射響應、低的漏電流和以非常穩(wěn)定的外延特性。它還具有出色的小波紋動態(tài)動態(tài)特性和高的發(fā)射效率。此外，它還具有很高的壓集能和硒的抗氧化能。

氧化鎵(Ga2O3)單晶的應用領域主要有：激光器件、加速器和雷達系統(tǒng)、傳感器、可視化圖像傳感器、天線、濾波器和片上電路。此外，它還廣泛應用于光學技術(shù)——它可用于制造變形鏡、BK7鏡片、視頻鏡頭控制器和高性能成像系統(tǒng)。

1.使用/應用

氧化鎵(Ga2O3)單晶的應用領域主要有：激光器件、加速器和雷達系統(tǒng)、傳感器、可視化圖像傳感器、天線、濾波器和片上電路。此外，它還廣泛應用于光學技術(shù)——它可用于制造變形鏡、BK7鏡片、視頻鏡頭控制器和高性能成像系統(tǒng)。

2.特點/優(yōu)勢

是一種直接寬帶隙半導體材料，具有極大的擊穿電場，易于獲得大尺寸晶體。