氧化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為Ga2O3。白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點(diǎn)1900℃(在600℃時(shí)轉(zhuǎn)化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無(wú)機(jī)酸。有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。

應(yīng)用領(lǐng)域

1、用于LED熒光粉中的激活劑使用

2、用于特殊閃爍晶體或者激光晶體的原料使用。

產(chǎn)品系列

屬性（理論）

健康與安全信息

包裝規(guī)格

成品包裝：50公斤/桶、500公斤/托盤(pán)、噸袋包裝

樣品包裝：500克/袋，1公斤/瓶

關(guān)于氧化鎵

氧化鎵是金屬鎵的氧化物，同時(shí)也是一種半導(dǎo)體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認(rèn)有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。與氧化鎵的結(jié)晶生長(zhǎng)及物性相關(guān)的研究大部分圍繞β結(jié)構(gòu)展開(kāi)。研究人員曾試制了金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，盡管屬于未形成保護(hù)膜鈍化膜的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結(jié)構(gòu)的元件時(shí)，通常難以達(dá)到這些樣品的指標(biāo)。 氧化鎵制備主流方法：按β-Ga2O3照晶體生長(zhǎng)過(guò)程中原料狀態(tài)的不同，可以將晶體生長(zhǎng)方法分為：溶液法、熔體法、氣相法、固相法等。熔體法是研究最早也是應(yīng)用最為廣泛的晶體Chemicalbook生長(zhǎng)方法，也是目前生長(zhǎng)β-Ga2O3體塊單晶常用的方法。通過(guò)熔體法可以生長(zhǎng)高質(zhì)量、低成本的β-Ga2O3體塊單晶，其中最為常用的生長(zhǎng)方法主要有兩種：提拉法和導(dǎo)模法。